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DDR3是一種計(jì)算機(jī)內(nèi)存規(guī)格,。它屬于SDRAM系列內(nèi)存產(chǎn)品，與DDR2 SDRAM相比,，可提供更高的運(yùn)行效率和更低的電壓,。

DDR3技術(shù)簡(jiǎn)介

為了更省電，傳輸效率更快,，DDR3 SDRAM采用SSTL 15的I/O接口,，工作I/O電壓為1.5V，采用CSP和FBGA封裝,。除了延續(xù)DDR2 SDRAM的ODT,、OCD、Posted CAS和AL控制方式外,，還增加了更復(fù)雜的CWD,、復(fù)位,、ZQ、SRT和RASR功能,。

DDR3存儲(chǔ)器的技術(shù)改進(jìn)

邏輯存儲(chǔ)體數(shù)量：DDR2 SDRAM有4個(gè)存儲(chǔ)體和8個(gè)存儲(chǔ)體,，是為了滿足未來大容量芯片的需求。DDR3很可能是從2Gb的容量起步,，所以初期的邏輯庫(kù)是8個(gè),，也為未來的16個(gè)邏輯庫(kù)做好了準(zhǔn)備。

封裝：DDR3有一些新特性,，所以管腳會(huì)增加,。8位芯片采用78引腳FBGA封裝，16位芯片采用96引腳FBGA封裝,，DDR2采用60/68/84引腳FBGA封裝,。

突發(fā)長(zhǎng)度：因?yàn)镈DR3的預(yù)取是8 ^ 8位，所以突發(fā)長(zhǎng)度(BL)也固定為8,。對(duì)于DDR2和早期的DDR架構(gòu)系統(tǒng),，BL=4也是常用的。DDR3增加了4位突發(fā)斬波模式,，即BL=8由BL=4讀操作和BL=4寫操作合成,。

尋址時(shí)序：DDR3的延遲在5-11之間，附加延遲(al)的設(shè)計(jì)也有所改變,。

降低功耗：DDR3在高帶寬的同時(shí),，可以降低功耗，核心工作電壓從1.8V降低到1.5V,，相關(guān)數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)DDR3將比目前的DDR2節(jié)省30%的功耗,。

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