全球最大的存儲芯片制造商之一的三星電子(Samsung Electronics)宣布推出基于High-K Metal Gate(HKMG)工藝技術(shù)的512GB DDR5模塊,。它以高達(dá)7200 Mbps的速度提供DDR4的性能速度的兩倍，專為超級計算,，人工智能等高帶寬應(yīng)用而設(shè)計,。

由于使用了傳統(tǒng)上用于邏輯半導(dǎo)體的HKMG技術(shù)，三星新型DDR5模塊的功耗降低了約13%,，同時性能得到了提升,。它利用硅通孔(TSV)技術(shù)，堆疊八層16Gb DRAM芯片,，總?cè)萘繛?12GB,。

三星目前正在向數(shù)據(jù)分析，機(jī)器學(xué)習(xí),，人工智能和超級計算領(lǐng)域的各種客戶提供這些新的DDR5模塊的樣品,。