大家好,，來來為大家解答以上問題,。海思k3v2,，華為的海思K3V2四核處理器怎樣很多人還不知道,，現(xiàn)在讓我們一起來看看吧,！

1,，華為的海思K3V2四核處理器怎樣？：海思 K3V2 四核處理器,。華為自主設(shè)計的K3V2四核處理器,，主頻高達1.2GHz/1.5GHz。K3V2四核處理器規(guī)格為12*12mm,，是目前業(yè)界體積最小的四核處理器,。同時，K3V2四核處理器內(nèi)置業(yè)界最強的嵌入式GPU,，并采用手機芯片中最高端的64bit帶寬DDR內(nèi)存設(shè)計來充分釋放四核的性能,。據(jù)悉，此款高性能CPU是海思（華為子公司）自主設(shè)計 采用ARM架構(gòu) 35NM ,。而采用1.5GHz 雙核處理器的 Ascend D1則有望于今年四月在中國,、歐洲、亞太,、澳洲,、北美、南美和中東等全球市場率先發(fā)售

2,，華為海思4核CPU（K3V2）,，是ARM內(nèi)核嗎？：　　華為海思4核CPU（K3V2）是ARM內(nèi)核,?！　』竞喗椋骸　『Ｋ?K3V2 ，是2012年業(yè)界體積最小的四核A9架構(gòu)處理器,。他是一款高性能CPU,，主頻分為1.2GHz和1.5GHz,，是華為自主設(shè)計，采用ARM架構(gòu)40NM,、64位內(nèi)存總線,，是Tegra 3內(nèi)存總線的兩倍?！　≡摽钐幚砥饕?guī)格為12*12mm,， 同時內(nèi)置業(yè)界最強的嵌入式GPU（圖形處理芯片），并采用手機芯片中最高端的64bit帶寬DDR內(nèi)存設(shè)計來充分釋放四核的性能,。具體來看,，K3V2有四個A9內(nèi)核，16個GPU單元,，頻率1.5GHz,，使用TSMC 40nm工藝制造，面積12mmx12mm,，是繼英偉達tegra3之后第二款四核A9處理器,。

3，海思K3V2的性能信息：

據(jù)華為芯片部首席構(gòu)架師稱,，海思K3V2是華為芯片部費時兩年的工作成果,，采用的是64位內(nèi)存總線，是Tegra 3內(nèi)存總線的兩倍,，這是K3V2芯片性能提升的主要原因之一,。官方聲稱這款芯片能夠在一系列的基準測試中超越Tegra 3性能30%到50%。華為還表示公司將會把這款處理器芯片賣給其他企業(yè),。 華為負責人表示,，時間緊迫，華為的速度要超過摩爾定律,。海思希望能夠在未來12個月內(nèi)相繼推出采用A15和A7構(gòu)架的芯片,。這兩款芯片屆時可能會采用28納米制程，據(jù)華為透露,，28納米制程可能還需要六個月的時間工藝才能成熟,。 集成460MHz 的ARM926EJ-S 處理器，支持ARM® JazelleTM JavaTM 硬件加速支持Mobile SDR/DDR SDRAM,，提供片內(nèi)8 層總線并行訪問,，最高到30Gbps 的片內(nèi)帶寬 。支持8/16bit NandFlash 存儲訪問及Flash lock 功能支持智能功耗性能調(diào)節(jié)（ Intelligence PowerPerformance Scaling）支持豐富外設(shè)接口和傳感檢查功能豐富的媒體功能,，提供完整的圖形加速,、圖像處理和音頻處理解決方案部分IO 支持1.8V/2.5V 電壓可配、工作模式可編程、支持低功耗模式提供方案級完整的電源系統(tǒng)與多種充電方式芯片符合RoHS 環(huán)保要求TFBGA460 封裝,、14mm%14mm,、0.5mm pitch 能耗節(jié)能一直是華為手機的優(yōu)點。此次依托全新內(nèi)核K3V2創(chuàng)建的電源系統(tǒng)管理,，在性能,，發(fā)熱，網(wǎng)絡(luò)技術(shù)上進行智能優(yōu)化,，消除電力空耗,，使用同樣電池容量卻能延長30%使用時間。真正達到可以2天一充,！而配備2500mAh的D quad XL更是保用三天,！海思K3V2的耗電演示圖：

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