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DDR3是一種計算機內(nèi)存規(guī)格,。它屬于SDRAM系列內(nèi)存產(chǎn)品,，與DDR2 SDRAM相比，可提供更高的運行效率和更低的電壓,。

DDR3技術(shù)簡介

為了更省電,，傳輸效率更快，DDR3 SDRAM采用SSTL 15的I/O接口,，工作I/O電壓為1.5V,，采用CSP和FBGA封裝。除了延續(xù)DDR2 SDRAM的ODT,、OCD,、Posted CAS和AL控制方式外，還增加了更復(fù)雜的CWD,、復(fù)位,、ZQ、SRT和RASR功能,。

DDR3存儲器的技術(shù)改進

邏輯存儲體數(shù)量：DDR2 SDRAM有4個存儲體和8個存儲體,，是為了滿足未來大容量芯片的需求。DDR3很可能是從2Gb的容量起步,，所以初期的邏輯庫是8個,，也為未來的16個邏輯庫做好了準備。

封裝：DDR3有一些新特性,，所以管腳會增加,。8位芯片采用78引腳FBGA封裝，16位芯片采用96引腳FBGA封裝,，DDR2采用60/68/84引腳FBGA封裝,。

突發(fā)長度：因為DDR3的預(yù)取是8 ^ 8位，所以突發(fā)長度(BL)也固定為8,。對于DDR2和早期的DDR架構(gòu)系統(tǒng),，BL=4也是常用的。DDR3增加了4位突發(fā)斬波模式,，即BL=8由BL=4讀操作和BL=4寫操作合成,。

尋址時序：DDR3的延遲在5-11之間，附加延遲(al)的設(shè)計也有所改變,。

降低功耗：DDR3在高帶寬的同時,，可以降低功耗,，核心工作電壓從1.8V降低到1.5V，相關(guān)數(shù)據(jù)預(yù)測DDR3將比目前的DDR2節(jié)省30%的功耗,。

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