全球最大的存儲(chǔ)芯片制造商之一的三星電子(Samsung Electronics)宣布推出基于High-K Metal Gate(HKMG)工藝技術(shù)的512GB DDR5模塊。它以高達(dá)7200 Mbps的速度提供DDR4的性能速度的兩倍,,專為超級(jí)計(jì)算,,人工智能等高帶寬應(yīng)用而設(shè)計(jì)。
由于使用了傳統(tǒng)上用于邏輯半導(dǎo)體的HKMG技術(shù),,三星新型DDR5模塊的功耗降低了約13%,,同時(shí)性能得到了提升。它利用硅通孔(TSV)技術(shù),,堆疊八層16Gb DRAM芯片,,總?cè)萘繛?12GB。
三星目前正在向數(shù)據(jù)分析,,機(jī)器學(xué)習(xí),,人工智能和超級(jí)計(jì)算領(lǐng)域的各種客戶提供這些新的DDR5模塊的樣品。